izpis_h1_title_alt

Močnostno stikalo z GaN tranzistorjem
HRIBAR, BOJAN (Avtor), Zajec, Peter (Mentor) Več o mentorju... Povezava se odpre v novem oknu

.pdfPDF - Predstavitvena datoteka, prenos (17,06 MB)

Izvleček
V diplomskem delu je podrobno opisan GaN tranzistor. Uvodoma so predstavljene glavne lastnosti polprevodniškega materiala GaN (galijev nitrid) in primerjava GaN tranzistorja s silicijevim MOSFET tranzistorjem. V nadaljevanju diplomske naloge je prikazano načrtovanje in postopek izdelave testnega vezja, na katerem sem izmeril karakteristike GaN tranzistorja. Testno vezje je bilo izdelano v obliki močnostnega stikala z GaN tranzistorjem. Cilj meritev je bilo merjenje preklopnih izgub GaN tranzistorja, izkoristka in temperaturne porazdelitve. Pri merjenju preklopnih izgub se je izkazalo, da zaradi neustreznega zajema poteka toka in omejene pasovne širine merilne opreme, ni mogoče podati natančnih rezultatov meritev.

Jezik:Slovenski jezik
Ključne besede:GaN tranzistor, MOSFET tranzistor, GaN (galijev nitrid), močnostno stikalo z GaN tranzistorjem
Vrsta gradiva:Diplomsko delo (m5)
Organizacija:FE - Fakulteta za elektrotehniko
Leto izida:2016
Število ogledov:807
Število prenosov:219
Metapodatki:XML RDF-CHPDL DC-XML DC-RDF
 
Skupna ocena:(0 glasov)
Vaša ocena:Ocenjevanje je dovoljeno samo prijavljenim uporabnikom.
:
Objavi na:AddThis
AddThis uporablja piškotke, za katere potrebujemo vaše privoljenje.
Uredi privoljenje...

Sekundarni jezik

Jezik:Angleški jezik
Naslov:Power switch with GaN transistor
Izvleček:
The thesis gives a detailed description of GaN transistor. First part of thesis represents main characteristics of the semiconductor material GaN, and comparison between GaN transistor and Si MOSFET transistor. The second part of thesis describes how to design and create electronic circuit of power switch with GaN transistor. The aim of thesis is to measure switching losses of GaN transistor, power efficiency and temperature distribution. With switching losses measurement, it has been shown that due to, inaccurate capture of current waveform and limited bandwidth of measurement equipment, it's not possible to present accurate results of measurement.

Ključne besede:GaN transistor, MOSFET transistor, GaN (gallium nitride), power switch with GaN transistor

Podobna dela

Podobna dela v RUL:
Podobna dela v drugih slovenskih zbirkah:

Komentarji

Dodaj komentar

Za komentiranje se morate prijaviti.

Komentarji (0)
0 - 0 / 0
 
Ni komentarjev!

Nazaj