20.500.12556/RUL-84944 Močnostno stikalo z GaN tranzistorjem Power switch with GaN transistor V diplomskem delu je podrobno opisan GaN tranzistor. Uvodoma so predstavljene glavne lastnosti polprevodniškega materiala GaN (galijev nitrid) in primerjava GaN tranzistorja s silicijevim MOSFET tranzistorjem. V nadaljevanju diplomske naloge je prikazano načrtovanje in postopek izdelave testnega vezja, na katerem sem izmeril karakteristike GaN tranzistorja. Testno vezje je bilo izdelano v obliki močnostnega stikala z GaN tranzistorjem. Cilj meritev je bilo merjenje preklopnih izgub GaN tranzistorja, izkoristka in temperaturne porazdelitve. Pri merjenju preklopnih izgub se je izkazalo, da zaradi neustreznega zajema poteka toka in omejene pasovne širine merilne opreme, ni mogoče podati natančnih rezultatov meritev. The thesis gives a detailed description of GaN transistor. First part of thesis represents main characteristics of the semiconductor material GaN, and comparison between GaN transistor and Si MOSFET transistor. The second part of thesis describes how to design and create electronic circuit of power switch with GaN transistor. The aim of thesis is to measure switching losses of GaN transistor, power efficiency and temperature distribution. With switching losses measurement, it has been shown that due to, inaccurate capture of current waveform and limited bandwidth of measurement equipment, it's not possible to present accurate results of measurement. GaN tranzistor MOSFET tranzistor GaN (galijev nitrid) močnostno stikalo z GaN tranzistorjem GaN transistor MOSFET transistor GaN (gallium nitride) power switch with GaN transistor true false false Slovenski jezik Angleški jezik Diplomsko delo 2016-09-08 15:34:18 2016-09-08 15:34:19 2022-08-02 06:41:28 0000-00-00 00:00:00 2016 0 0 0000-00-00 NiDoloceno NiDoloceno NiDoloceno 0000-00-00 0000-00-00 0000-00-00 1970-01-01 34422 Hribar_Bojan_-_Mocnostno_stikalo_z_GaN_tranzistorjem.pdf Hribar_Bojan_-_Mocnostno_stikalo_z_GaN_tranzistorjem.pdf 1 8107B828C29767970EB340B0029644D2 442d83d361ad838e5ab78c1339c3a20a12907e73e88f2a17306a5a18b44c31b9 f0498ccf-a1b0-11eb-a523-00155dcfd717 20.500.12556/rul/004f0e51-d439-4491-b07e-3ffb7fa8617b https://repozitorij.uni-lj.si/Dokument.php?lang=slv&id=88062 Fakulteta za elektrotehniko 0 0 0