izpis_h1_title_alt

Numerično modeliranje in simulacija enoelektronskih logičnih vezij
KIKELJ, MIHA (Avtor), Lipovšek, Benjamin (Mentor) Več o mentorju... Povezava se odpre v novem oknu

.pdfPDF - Predstavitvena datoteka, prenos (1,24 MB)

Izvleček
V tem delu smo predstavili uporabo orodja MOSES (Monte-Carlo Single- Electronics Simulator), kot metodo za simulacijo komplementarnih enoelektronskih vezij na podlagi ortodoksne teorije. Izvedli smo simulacijo enoelektronske škatle, enoelektronskega tranzistorja in komplementarnega enoelektronskega inverterja. Njihove karakteristike smo ovrednotili pri različnih temperaturah in ocenili njihov potencial za delovanje pri sobni temperaturi. Karakteristike smo primerjali tudi z meritvami realnih struktur, ki so jih izvedli na drugih inštitucijah in ocenili možne razloge za razlikovanje rezultatov. Ocenili smo možnost zamenjave konvencionalnih CMOS vezji z enoelektronsko logiko stanj napetosti in predlagali poenostavljeno strukturo, ki naj bi delovala pri sobni temperaturi.

Jezik:Slovenski jezik
Ključne besede:enoelektronska logična vezja, enoelektronski tranzistor, Monte-Carlo. simulacija, MOSES, logika stanj napetosti
Vrsta gradiva:Magistrsko delo/naloga (mb22)
Organizacija:FE - Fakulteta za elektrotehniko
Leto izida:2018
Število ogledov:530
Število prenosov:227
Metapodatki:XML RDF-CHPDL DC-XML DC-RDF
 
Skupna ocena:(0 glasov)
Vaša ocena:Ocenjevanje je dovoljeno samo prijavljenim uporabnikom.
:
Objavi na:AddThis
AddThis uporablja piškotke, za katere potrebujemo vaše privoljenje.
Uredi privoljenje...

Sekundarni jezik

Jezik:Angleški jezik
Naslov:Numerical modelling and simulation of single-electron logic circuits
Izvleček:
In our contribution we present the use of MOSES (Monte-Carlo Single- Electronics Simulator) as a method for simulation of complementary SET logic circuits based on the orthodox theory. Simulation of single-electron devices including a single-electron box, a single-electron transistor and a complementary single-electron inverter was carried out. Their characteristics were evaluated at different temperatures and the potential for room-temperature operation was assessed. The characteristics were also compared to the measurements obtained at other institutions and deviations between the two were examined. The potential for voltage-state logic to replace conventional CMOS logic circuits was examined and a proposal of a potential structure, operational at room-temperature, was made.

Ključne besede:single-electron logic circuits, single-electron transistor, Monte-Carlo, MOSES, voltage-state logic

Podobna dela

Podobna dela v RUL:
Podobna dela v drugih slovenskih zbirkah:

Komentarji

Dodaj komentar

Za komentiranje se morate prijaviti.

Komentarji (0)
0 - 0 / 0
 
Ni komentarjev!

Nazaj