Podrobno

Interakcija nevtralnih vodikovih atomov s površino kositra
ID Kos Maligoj, Filip (Avtor), ID Traven, Gregor (Mentor) Več o mentorju... Povezava se odpre v novem oknu, ID Zaplotnik, Rok (Komentor)

.pdfPDF - Predstavitvena datoteka, prenos (58,51 MB)
MD5: 34D1394BEE8807C512533169866BB289

Izvleček
V magistrskem delu obravnavam interakcije nevtralnih reaktivnih atomov vodika s površino kositra v radiofrekvenčno (RF) sklopljeni vodikovi plazmi ter formacijo molekule stanana (SnH$_4$). V porazelektritvenem območju, kjer sem izmeril gostoto nevtralnih vodikovih atomov v območju $n\approx 10^{21} \ \rm m^{-3}$, sem z globinsko profilno masno spektroskopijo sekundarnih ionov (SIMS) določil hitrost jedkanja kositra z vodikovimi atomi, ki znaša $w=0,8 \ \rm \frac{nm}{s}\ (1\pm12\ \%)$. Na podlagi tega sem izračunal število atomov vodika, potrebnih za odstranitev enega kositrovega atoma, ki znaša $Y^{-1}=28800 \ (1\pm8\ \%)$. Poleg tega sem analiziral nastanek kositrovih kapljic na površini silicija, ki se pojavijo zaradi lokalnega segrevanja, zaradi sproščene disociacijske energije molekule vodika. Razumevanje teh interakcij je pomembno za razvoj tekočih kovinskih divertorjev v fuzijskih reaktorjih tipa tokamak ter za napredne plazemske tehnologije, kot je ekstremna ultravijolična (EUV) litografija.

Jezik:Slovenski jezik
Ključne besede:radiofrekvenčna nizkotlačna vodikova plazma, kositer, jedkanje kositra, masna spektroskopija sekundarnih ionov, analiza površine, stanan
Vrsta gradiva:Magistrsko delo/naloga
Tipologija:2.09 - Magistrsko delo
Organizacija:FMF - Fakulteta za matematiko in fiziko
Leto izida:2025
PID:20.500.12556/RUL-171608 Povezava se odpre v novem oknu
COBISS.SI-ID:247351299 Povezava se odpre v novem oknu
Datum objave v RUL:29.08.2025
Število ogledov:246
Število prenosov:52
Metapodatki:XML DC-XML DC-RDF
:
Kopiraj citat
Objavi na:Bookmark and Share

Sekundarni jezik

Jezik:Angleški jezik
Naslov:Interaction of Neutral Hydrogen Atoms with a Tin Surface
Izvleček:
This master’s thesis investigates the interactions between neutral reactive hydrogen atoms and a tin surface in a radio-frequency (RF)- coupled hydrogen plasma, focusing particularly on the formation of the stannane molecule (SnH$_4$). In the plasma's afterglow region, where the measured density of neutral hydrogen atoms is of the order of $n\approx 10^{21} \ \rm m^{-3}$, the etching rate of tin by hydrogen atoms was determined using secondary ion mass spectrometry (SIMS) depth profiling and found to be $w=0,8 \ \rm \frac{nm}{s}\ (1\pm12\ \%)$. From this, the number of hydrogen atoms required to remove a single tin atom was calculated as $Y^{-1}=28800 \ (1\pm8\ \%)$. Additionally, the formation of tin droplets on the silicon surface was analysed. These droplets result from localised heating caused by the deposition of dissociation energy from the hydrogen molecule. Understanding these interactions is relevant for the development of liquid metal divertors in tokamak fusion reactors and for advanced plasma-based technologies such as extreme ultraviolet (EUV) lithography.

Ključne besede:radio-frequency low pressure hydrogen plasma, tin, tin etching, secondary ion mass spectrometry, surface analysis, stannan

Podobna dela

Podobna dela v RUL:
Podobna dela v drugih slovenskih zbirkah:

Nazaj