Podrobno

Meritve sevalnih poškodb v silicijevih detektorjih : diplomsko delo
ID Jerič, Gašper (Avtor), ID Cindro, Vladimir (Mentor) Več o mentorju... Povezava se odpre v novem oknu, ID Kramberger, Gregor (Komentor)

.pdfPDF - Predstavitvena datoteka, prenos (2,32 MB)
MD5: 0AD988A6ADE2437B05B0B011E81E5815
PID: 20.500.12556/rul/c2996be8-c2ba-446d-a4ec-ed6caf323573

Jezik:Slovenski jezik
Ključne besede:polprevodniški detektorji, silicijevi detektorji, detektor ATLAS, sevalne poškodbe
Vrsta gradiva:Diplomsko delo
Tipologija:2.11 - Diplomsko delo
Organizacija:FMF - Fakulteta za matematiko in fiziko
Kraj izida:Ljubljana
Založnik:[G. Jerič]
Leto izida:2015
Št. strani:48 str.
PID:20.500.12556/RUL-97534 Povezava se odpre v novem oknu
UDK:539.1.074.5
COBISS.SI-ID:2835812 Povezava se odpre v novem oknu
Datum objave v RUL:26.10.2017
Število ogledov:2756
Število prenosov:711
Metapodatki:XML DC-XML DC-RDF
:
JERIČ, Gašper, 2015, Meritve sevalnih poškodb v silicijevih detektorjih : diplomsko delo [na spletu]. Diplomsko delo. Ljubljana : G. Jerič. [Dostopano 27 avgust 2025]. Pridobljeno s: https://repozitorij.uni-lj.si/IzpisGradiva.php?lang=slv&id=97534
Kopiraj citat
Objavi na:Bookmark and Share

Sekundarni jezik

Jezik:Angleški jezik
Ključne besede:semiconductor detectors, silicon detectors, ATLAS detector, radiation damages

Podobna dela

Podobna dela v RUL:
  1. Zaznavanje nabitih delcev s pasovnimi silicijevimi detektorji pri preletu pod velikimi koti
  2. Sevalna odpornost detektorjev CMOS za nadgradnjo notranjega sledilnika ATLAS
  3. Preučevanje detektorja HVCMOS2 za meritve sledi nabitih delcev z metodo E-TCT
  4. Okrevanje silicijevih fotopomnoževalk po obsevanju z nevtroni
  5. ELECTRIC FIELD AND CHARGE MULTIPLICATION IN RADIATION-DAMAGED SILICON DETECTORS
Podobna dela v drugih slovenskih zbirkah:
  1. Meritve vpliva zaporne napetosti na napetost popolnega osiromašenja v silicijevih detektorjih
  2. Design, upgrade and characterization of the silicon photomultiplier front-end for the AMIGA detector at the Pierre Auger Observatory
  3. Vgrajen sistem mikrovalovnega detektorja gibanja na osnovi Dopplerjevega pojava
  4. Mikrovalovna stimulacija pečniške komore s frekvenčnim preletom na osnovi polprevodniške tehnologije
  5. Ultra-fast silicon detectors for CERN’S high-luminosity large hadron collider

Nazaj