Podrobno

Simulacije meritev E-TCT z visoko obsevanimi silicijevimi detektorji : magistrsko delo
ID Mrvar, Manca (Avtor), ID Mandić, Igor (Mentor) Več o mentorju... Povezava se odpre v novem oknu, ID Kramberger, Gregor (Komentor)

.pdfPDF - Predstavitvena datoteka, prenos (4,30 MB)
MD5: 0BA2CE8E153868C698BF80A7CCC58DA1
PID: 20.500.12556/rul/237febbf-5cea-4ce8-a457-15a9bdb17853

Jezik:Slovenski jezik
Ključne besede:fizika osnovnih delcev, silicijevi detektorji, močno obsevanje, potovalna hitrost
Vrsta gradiva:Magistrsko delo/naloga
Tipologija:2.09 - Magistrsko delo
Organizacija:FMF - Fakulteta za matematiko in fiziko
Kraj izida:Ljubljana
Založnik:[M. Mrvar]
Leto izida:2014
Št. strani:XVI, 58 str.
PID:20.500.12556/RUL-97270 Povezava se odpre v novem oknu
UDK:539.1.074.5
COBISS.SI-ID:2736996 Povezava se odpre v novem oknu
Datum objave v RUL:23.10.2017
Število ogledov:2100
Število prenosov:633
Metapodatki:XML DC-XML DC-RDF
:
MRVAR, Manca, 2014, Simulacije meritev E-TCT z visoko obsevanimi silicijevimi detektorji : magistrsko delo [na spletu]. Magistrsko delo. Ljubljana : M. Mrvar. [Dostopano 27 avgust 2025]. Pridobljeno s: https://repozitorij.uni-lj.si/IzpisGradiva.php?lang=slv&id=97270
Kopiraj citat
Objavi na:Bookmark and Share

Sekundarni jezik

Jezik:Angleški jezik
Ključne besede:elementary particles, silicon detectors, heavy irradiation, drift velocity, edge-TCT method

Podobna dela

Podobna dela v RUL:
  1. Zaznavanje nabitih delcev s pasovnimi silicijevimi detektorji pri preletu pod velikimi koti
  2. Sevalna odpornost detektorjev CMOS za nadgradnjo notranjega sledilnika ATLAS
  3. Preučevanje detektorja HVCMOS2 za meritve sledi nabitih delcev z metodo E-TCT
  4. Testiranje detektorja TOP s kozmičnimi mioni
  5. Meritve sevalnih poškodb v silicijevih detektorjih
Podobna dela v drugih slovenskih zbirkah:
  1. Meritve vpliva zaporne napetosti na napetost popolnega osiromašenja v silicijevih detektorjih

Nazaj