Vaš brskalnik ne omogoča JavaScript!
JavaScript je nujen za pravilno delovanje teh spletnih strani. Omogočite JavaScript ali pa uporabite sodobnejši brskalnik.
Repozitorij Univerze v Ljubljani
Nacionalni portal odprte znanosti
Odprta znanost
DiKUL
slv
|
eng
Iskanje
Brskanje
Novo v RUL
Kaj je RUL
V številkah
Pomoč
Prijava
Podrobno
Polprevodniki in polprevodniški elektronski elementi na osnovi grafena
ID
Deželak, Anja
(
Avtor
),
ID
Tomšič, Matija
(
Mentor
)
Več o mentorju...
PDF - Predstavitvena datoteka,
prenos
(2,00 MB)
MD5: EE20D9ECDD6949410D993D0A4B10B042
Galerija slik
Izvleček
Grafen je bil prvi sintetizirani dvodimenzionalen material in je že ob odkritju pritegnil veliko pozornosti v smislu njegove potencialne aplikacije v elektronskih in fotoničnih napravah. O tem pričajo številne teoretične in druge študije. Vzrok za to so predvsem njegove izjemne mehanske in fizikalno-kemijske lastnosti. Vendar pa pomanjkanje polprevodniških pozitivnih vrzeli v čistem grafenu predstavlja težave pri uporabi v elektroniki. Posledično je veliko pozornosti namenjeno modificiranju grafena z dopiranjem – uvajanjem atomov drugih elementov v čisti grafen – in s tem izboljševanjem polprevodniških lastnosti grafena. V diplomskem delu sem preučila literaturo na temo polprevodnikov in njihovih lastnosti, opisala grafen, sinteze njegovih modificiranih oblik ter opisala uporabo polprevodnikov v diodah in tranzistorjih. Predstavila sem napredek v razvoju diod in tranzistorjev, ki temeljijo na grafenu in njegovih hibridnih sistemih z drugimi materiali. Grafen je obetajoč polprevodniški material, kljub temu pa bodo za njegovo razširjeno uporabo potreben še dodatni razvoj in raziskave.
Jezik:
Slovenski jezik
Ključne besede:
polprevodniki
,
grafen
,
dopiran grafen
,
tranzistor
,
Schottky dioda
Vrsta gradiva:
Diplomsko delo/naloga
Tipologija:
2.09 - Magistrsko delo
Organizacija:
FKKT - Fakulteta za kemijo in kemijsko tehnologijo
Leto izida:
2020
PID:
20.500.12556/RUL-117376
COBISS.SI-ID:
23537923
Datum objave v RUL:
08.07.2020
Število ogledov:
1930
Število prenosov:
455
Metapodatki:
Citiraj gradivo
Navadno besedilo
BibTeX
EndNote XML
EndNote/Refer
RIS
ABNT
ACM Ref
AMA
APA
Chicago 17th Author-Date
Harvard
IEEE
ISO 690
MLA
Vancouver
:
DEŽELAK, Anja, 2020,
Polprevodniki in polprevodniški elektronski elementi na osnovi grafena
[na spletu]. Magistrsko delo. [Dostopano 30 maj 2025]. Pridobljeno s: https://repozitorij.uni-lj.si/IzpisGradiva.php?lang=slv&id=117376
Kopiraj citat
Objavi na:
Sekundarni jezik
Jezik:
Angleški jezik
Naslov:
Graphene based semiconductors and semiconductor electronic devices
Izvleček:
Graphene was the first synthesized two-dimensional material and has attracted a great deal of attention due to its application in electronic and photonic devices. This reflects from many theoretical and other studies of graphene due to its exceptional mechanical and physicochemical properties. However, the lack of positively charged semiconductor holes in pure graphene presents problems for its use in electronics. Consequently, a lot of attention is paid to altering graphene by doping – introducing atoms of other elements into pure graphene – and thus improving the semiconductor properties of graphene. In the present work we review the literature on the properties of graphene as semiconductor and describe the syntheses of modified forms of graphene. In this review we were interested in the use of semiconductors in diodes and transistors, advances in the development of diodes and transistors based on graphene and its hybrid systems with other materials. Graphene is still a promising semiconductor material, but still needs further research and development for its broader use in electronics.
Ključne besede:
semiconductors
,
graphene
,
doped graphene
,
transistor
,
Schottky diode
Podobna dela
Podobna dela v RUL:
Model cell lines and tissues of different HGSOC subtypes differ in local estrogen biosynthesis
Metabolism of estrogens
AKR1C3 is associated with better survival of patients with endometrial carcinomas
13α-estrone and tetrahydronaphthalen-1-one derivatives as AKR1C1–C3 inhibitors and their effect on high-grade serous ovarian cancer cell lines
The significance of extracellular vesicles for prediction of chemoresistance in high grade serous ovarian carcinoma
Podobna dela v drugih slovenskih zbirkah:
Ali je BRCA 1-2 mutacija pri bolnicah z dvojnim primarnim rakom jajčnikov in dojk vedno prisotna?
Dvojni primarni rak jajčnikov in dojk
Praktični napotki za genetsko svetovanje: rak jajčnikov in dojk
Epithelial ovarian cancer, fallopian tube cancer, primary peritoneal serous cancer (PPSC) : systemic treatment recommendations
Analysis of the referral trend in ovarian cancer patients who need genetic assessment for treatment planning and presentation of new clinical pathways
Nazaj