V disertaciji so predstavljeni rezultati uporabe vrstične tunelske mikroskopije (VTM) in spektroskopije za preučevanje topografije ter elektronskih lastnosti koreliranih elektronskih materialov in samourejenih molekulskih struktur na površinah.
Najprej smo se osredotočili na karakterizacijo merilnih napak, ki se lahko pojavijo pri merjenju pasovne strukture površin s pomočjo interference kvazi delcev na primeru površinskega stanja enostavnih kovin. Nato smo s pomočjo te metode rekonstruirali pasovno strukturo topološke polkovine Sb(111).
V drugem delu doktorata smo se osredotočili na preučevanje materialov, ki kažejo valove gostote naboja (VGN). Z uporabo VTM in analize s pomočjo Fourierjeve transformacije vzdolž kolon kvazi-enodimenzionalnih kristalov NbSe$_3$ smo preučevali urejanje VGN v tem kristalu, ki kaže zanimive transportne lastnosti imenovane drsenje VGN. Naši rezultati so v skladu z novim modelom transporta, ki predvideva izmenjavo obeh modulacij vzdolž dveh od treh kolon.
Na primeru plastnih kristalov 1T-TaSeS smo preučevali soobstoj superprevodnosti in VGN. Prek visoko ločljivih meritev lokalne gostote stanj pod temperaturo prehoda v superprevodno stanje, smo pokazali, da v nasprotju s pričakovanji superprevodne lastnosti in domenska struktura tega materiala nista povezani.
V zadnjem delu doktorata so predstavljeni rezultati meritev samourejanja organskega inhibitorja, 2-merkaptobenzimidazola, na površini bakra. S pomočjo naparevanja v ultra visokem vakuumu smo nadzorovano pripravili visoko kvalitetne vzorce s (pod-)enoplastno pokritostjo. Z nadzorom nad temperaturo substrata in površinsko pokritostjo smo pridobili različne samourejene strukture in jih analizirali z VTM ter simulacijami s pomočjo teorije gostotnih funkcionalov in tako izboljšali razumevanje mehanizmov vezave 2-merkaptobenzimidazola na površino bakra.
Zaradi atomske in visoke energijske ločljivosti je VTM skupaj s podrobnim poznavanjem merilnih načinov in možnih napak močna eksperimentalna tehnika, ki omogoča raznolike raziskave površin kompleksnih materialov.
|