Podstehiometrični volframovi oksidi predstavljajo zanimivo vrsto materialov, kjer se defekti uredijo v periodične strukture. Omenjenim periodičnim strukturam pravimo kristalografske strižne ravnine. Glede na tip kristalografske strižne ravnine in razdalje med njimi, te lahko tvorijo volframove okside z različnimi stehiometrijami. V sklopu disertacije so bili identificirani kvazi dvodimenzionalni podstehiometrični volframovi oksidi, ki epitaksialno rastejo na nanožicah W$_{19}$O$_{55}$ kot tanke ploščice. Tako nanožice kot ploščice odpravljajo pomanjkanje kisika s tvorbo kristalografskih strižnih ravnin.
Transmisijska elektronska mikroskopija, rentgenska fotoelektronska spektroskopija in rentgenska praškovna difrakcija so bile uporabljene za določitev strukture, Ramanska spektroskopija za analizo nihajnih načinov snovi, UV-Vis spektroskopija, Kelvinova tipalna mikroskopija in vrstična tunelska mikroskopija za določitev električnih lastnosti. Uporabljene metode so predstavljene v poglavju Metode. V poglavju Publikacije so predstavljena zadnja dognanja v literaturi glede omenjenih materialov, v poglavju Rezultati in diskusija pa so predstavljeni rezultati skupaj z diskusijo.
Stehiometrične faze, W$_{18}$O$_{53}$ (WO$_{2.944}$), W$_{17}$O$_{50}$ (WO$_{2.941}$), W$_{16}$O$_{47}$ (WO$_{2.938}$), W$_{15}$O$_{44}$ (WO$_{2.933}$), W$_{14}$O$_{41}$ (WO$_{2.929}$), W$_{9}$O$_{26}$ (WO$_{2.889}$) in W$_{10}$O$_{29}$ (WO$_{2.9}$) sintaktično rastejo znotraj ene same ploščice. Šest od sedmih stehiometrij je bilo prvič eksperimentalno opaženih, čeprav so bile predvidene že pred skoraj 70 leti. Ploščicam podobni kristali predstavljajo novo vrsto polikristaliničnosti, kjer kristalografske strižne ravnine odpravljajo pomanjkanje kisika in hkrati stabilizirajo to več stehiometrično strukturo.
|
