20.500.12556/RUL-183923 Vzpostavitev sistema za meritve prehodnega toka z dvofotonsko absorpcijo v silicijevih detektorjih Commissioning of a two-photon absorption transient current technique system for silicon detectors Polprevodniški detektorji so zaradi dobre prostorske in energijske ločljivosti ter hitrega nastanka signala nepogrešljivi v eksperimentalni fiziki delcev. Prisotni so v najbolj notranjem delu detektorja v trkalnikih delcev. Ker razvoj eksperimentov na trkalnikih zahteva vedno zmogljivejše detektorje, morajo biti tudi merilni sistemi za njihovo karakterizacijo naprednejši. V sklopu tega magistrskega dela je bil vzpostavljen merilni sistem za meritve prehodnega toka z dvofotonsko absorpcijo(TPA-TCT) na silicijevih detektorjih. V teoretičnem uvodu so predstavljene osnove polprevodniških detektorjev delcev in nastanek prehodnega toka, ki predstavlja signal v detektorju. Pojasnjena je interakcija laserske svetlobe s silicijem, s posebnim poudarkom na dvofotonski absorpciji. Predstavljene so tudi lastnosti Gaussovega žarka. Osrednji del magistrskega dela zajemajo meritve, ki karakterizirajo merilni sistem TPA-TCT. Izmerjena sta bila parametra Gaussovega žarka $w_0 = (1,3 \pm 0,1)\mathrm{\mu m}$ in $z_0 = (11,2 \pm 0,2)\mathrm{\mu m}$. Uporaba vzpostavljenega merilnega sistema je prikazana z meritvami na 3D senzorjih z majhno osnovno celico velikosti 35$\mathrm{\mu m}$. Semiconductors are essential in experimental particle physics because of their excellent spatial and energy resolution, as well as fast timing capabilities. They are found in the innermost parts of particle collider detectors. As experiments at colliders require increasingly precise detectors, techniques for characterising detectors must also be appropriately improved. In the scope of this thesis a system for transient current technique measurements with two-photon absorption (TPA-TCT) for silicon detectors was commissioned. The theoretical introduction presents the fundamentals of semiconductor particle detectors and the formation of transient current, which constitutes the signal in the detector. It explains the interaction of laser light with silicon, with emphasis on two-photon absorption (TPA). The characteristics of the Gaussian beam are also described. The main part of the thesis consists of measurements that characterise the TPA-TCT setup. The parameters of the Gaussian beam were measured to be $w_0 = (1.3 \pm 0.1) \mathrm{\mu m}$ and $z_0 = (11.2 \pm 0.2) \mathrm{\mu m}$. The use of the setup was demonstrated with measurements of 3D sensors with a small 35 $\mathrm{\mu m}$ unit cell. dvofotonska absorpcija (TPA) metoda prehodnega toka (TCT) silicijevi detektorji delcev two-photon absorption (TPA) transient current technique (TCT) silicon particle detectors true false false Slovenski jezik Angleški jezik Magistrsko delo/naloga 2026-06-21 08:15:21 2026-06-21 08:15:31 2026-06-22 14:10:16 0000-00-00 00:00:00 2026 0 0 0000-00-00 NiDoloceno NiDoloceno NiDoloceno 0000-00-00 0000-00-00 0000-00-00 160492 282462211 21975.pdf 21975.pdf 1 D7BCE6B350A840BAA2FDAD99260C582C 8df12fa4787046ebf5826f910dd4db39bd3489f4566b1294f630ddf8524f9881 8a5800c1-6d38-11f1-9b0d-0050569b8976 https://repozitorij.uni-lj.si/Dokument.php?lang=slv&id=236235 Fakulteta za matematiko in fiziko 0 0 0