Močnostno stikalo z GaN tranzistorjemHRIBAR, BOJAN (Avtor) Zajec, Peter (Mentor) GaN tranzistorMOSFET tranzistorGaN (galijev nitrid)močnostno stikalo z GaN tranzistorjemV diplomskem delu je podrobno opisan GaN tranzistor. Uvodoma so predstavljene glavne lastnosti polprevodniškega materiala GaN (galijev nitrid) in primerjava GaN tranzistorja s silicijevim MOSFET tranzistorjem. V nadaljevanju diplomske naloge je prikazano načrtovanje in postopek izdelave testnega vezja, na katerem sem izmeril karakteristike GaN tranzistorja. Testno vezje je bilo izdelano v obliki močnostnega stikala z GaN tranzistorjem. Cilj meritev je bilo merjenje preklopnih izgub GaN tranzistorja, izkoristka in temperaturne porazdelitve. Pri merjenju preklopnih izgub se je izkazalo, da zaradi neustreznega zajema poteka toka in omejene pasovne širine merilne opreme, ni mogoče podati natančnih rezultatov meritev.20162016-09-08 15:34:18Diplomsko delo84944VisID: 34422sl