Izdelava in karakterizacija memristorjev MoOx in spominskih elementov TaS2MIHAILOVIĆ, IAN ALEKSANDER (Avtor) Smole, Franc (Mentor) spominhitri trajni spominmemristormolibdenMoOxCDWTaS2val gostote nabojaV zadnjih nekaj letih so se pojavile številne nove tehnologije pomnilnikov, ki jih uvrščamo pod hitri trajni spomin − HTS, ki združuje trajnost pomnilnikov za hranjenje podatkov ter hitrosti in nizko energijsko porabo kratkotrajnih, delovnih pomnilnikov. Eden od teh spominov je t. i. memristor, element, katerega obstoj so napovedali že v sedemdesetih letih, saj teoretično dopolnjuje manjkajočo zvezo med magnetnim pretokom in nabojem. Električno vzbujeni ionski transport v kovinskih oksidih memristorja povzroči spremembo upornosti strukture, kar lahko interpretiramo kot binarna digitalna stanja. V prvem delu diplomske naloge je predstavljen mehanizem delovanja tovrstnih memristorskih struktur in postopek izdelave plastne memristorske strukure iz molibdenovih oksidov. Opisan je merilni sistem znotraj elektronskega mikroskopa, merjenje karakteristik memristorjev ter perspektivna uporaba v integriranih vezjih in tridimenzionalnih strukturah. Drugi del predstavlja temeljne eksperimente nove vrste spomina, ki izrablja mehanizme valov gostote naboja v TaS2. Z zelo kratkimi električnimi sunki je v tem materialu, pri nizki temperaturi, mogoče spremeniti upornost za več tisoč ohmov, daljši sunki pa strukturo segrejejo in upornost vrnejo nazaj v prvotno stanje. Poglavje začne s poenostavljeno teoretično razlago mehanizma delovanja in predstavi pojav vala gostote naboja. Preide na izdelavo vzorcev z luščenjem rezin tantalovega disulfida in lasersko litografijo, nato pa opisuje postopke hlajenja in povezovanje z merilnimi inštrumenti preko bondiranja. Sledijo eksperimenti, ki prikazujejo preklopne lastnosti, odvisnosti parametrov in optični eksperimenti, ki dokazujejo perspektivnost tega CDW spomina. Raziskovalnemu delu sledi kratka primerjava modernih spominskih elementov in kaj ti obetajo za prihodnost.20152015-05-27 14:30:05Diplomsko delo30805VisID: 30641sl