Interakcija nevtralnih vodikovih atomov s površino kositraKos Maligoj, Filip (Avtor) Traven, Gregor (Mentor) Zaplotnik, Rok (Komentor) radiofrekvenčna nizkotlačna vodikova plazmakositerjedkanje kositramasna spektroskopija sekundarnih ionovanaliza površinestananV magistrskem delu obravnavam interakcije nevtralnih reaktivnih atomov vodika s površino kositra v radiofrekvenčno (RF) sklopljeni vodikovi plazmi ter formacijo molekule stanana (SnH$_4$). V porazelektritvenem območju, kjer sem izmeril gostoto nevtralnih vodikovih atomov v območju $n\approx 10^{21} \ \rm m^{-3}$, sem z globinsko profilno masno spektroskopijo sekundarnih ionov (SIMS) določil hitrost jedkanja kositra z vodikovimi atomi, ki znaša $w=0,8 \ \rm \frac{nm}{s}\ (1\pm12\ \%)$. Na podlagi tega sem izračunal število atomov vodika, potrebnih za odstranitev enega kositrovega atoma, ki znaša $Y^{-1}=28800 \ (1\pm8\ \%)$. Poleg tega sem analiziral nastanek kositrovih kapljic na površini silicija, ki se pojavijo zaradi lokalnega segrevanja, zaradi sproščene disociacijske energije molekule vodika. Razumevanje teh interakcij je pomembno za razvoj tekočih kovinskih divertorjev v fuzijskih reaktorjih tipa tokamak ter za napredne plazemske tehnologije, kot je ekstremna ultravijolična (EUV) litografija.20252025-08-29 08:15:11Magistrsko delo/naloga171608VisID: 151981COBISS_ID: 247351299sl