Karakterizacija superprevodne pomnilniške celice na podlagi ureditve nabojaBREZEC, BOR (Avtor) Lipovšek, Benjamin (Mentor) Mraz, Anže (Komentor) pomnilniška celicaultrahiter pomnilnikTaS2nTronpTronV magistrski nalogi je predstavljeno raziskovalno delo na pomnilniški celici paralelotron (pTron), ki zaradi edinstvenih lastnosti ponuja rešitev za pomanjkanje pomnilniške tehnologije v krioračunalništvu, kjer so zahteve po energijski učinkovitosti zelo visoke. Plastoviti material tantalov disulfid, ki je aktiven material v tej pomnilniški celici, pri temperaturah nižjih od 20 K omogoča trajno pomnjenje v obliki izjemno hitrega in energetsko učinkovitega preklapljanja med izolatorskim in kovinskim stanjem z uporabo električnih pulzov. Celica pTron zajema vzporedno vezavo pomnilniške naprave CCM (ang. charge configuration memory), ki temelji na TaS2, in superprevodnega ojačevalne naprave nanokriotron (nTron), ki skrbi za naslavljanje naprave CCM, ojačitev gonilnih signalov in omogoča sklopitev pTron naprave s SFQ (ang. single flux quantum) logiko. Za raziskave je bilo potrebno zasnovati namensko merilno postavitev in razviti programsko opremo za usklajevanje med več različnimi merilnimi instrumenti. S pomočjo merilne postavitve smo karakterizirali več vzorcev CCM in nTron. Izkazalo se je, da šum negativno vpliva na delovanje celice, zato je bilo veliko časa namenjenega njegovemu zmanjševanju. Na podlagi pridobljenih podatkov smo iz naprav CCM in nTron sestavili pomnilniško celico pTron, na kateri smo prvič delno uspešno demonstrirali postopek pisanja. Z uporabo 1 µs dolgega napetostnega pulza smo vzorcu spremenili električno upornost s 6,90 kΩ na 1,78 kΩ, kar je zadovoljivo, vendar pušča še veliko možnosti za izboljšave. Na podlagi teh dognanj je pričakovano nadaljnje raziskovalno delo na pomnilniški celici pTron.20242024-01-17 08:10:05Magistrsko delo/naloga153966VisID: 62293COBISS_ID: 181950723sl