Optimizacija referenčnega vezja na osnovi energijske reže v tehnologiji CMOSBERČAN, DAMJAN (Avtor) Trontelj, Janez (Mentor) Referenčno vezje na osnovi energijske režekompenzacija drugega redaoptimizacija referenčnega vezjaMagistrsko delo predstavlja načrtovanje in optimizacijo napetostnega referenčnega vira na osnovi energijske reže v CMOS tehnologiji. Iz simulacij v 0,18 μm in 0,35 μm tehnologiji smo ugotovili, da z uporabo kompenzacije drugega reda dobimo boljši temperaturni koeficient (TK) referenčne napetosti. Referenčna napetost je sestavljena iz napetosti z negativnim temperaturnim koeficientom in pozitivnim temperaturnim koeficientom ter kompenzacijske napetosti. V 0,18 μm tehnologiji referenčna napetost znaša 1,348 V. Simulacije smo izvedli v temperaturnem območju od -40 ◦C do 125 ◦C. TK znaša 9,48 ppm/◦C in rejekcijski faktor napajalne napetosti (PSRR) je -65 dB pri nizkih frekvencah. Vpliv spremembe napajalne napetosti na referenčno napetost znaša 0,25 μV/mV v napetostnem območju od 3 V do 3,6 V. Cilj optimizacije v 0,35 μm tehnologiji je bil dobiti TK boljši od 20 ppm/◦C v temperaturnem območju od -40 ◦C do 150 ◦C. TK je blizu 13 ppm/◦C in PSRR -68,1 dB pri nizkih frekvencah. Vpliv spremembe napajalne napetosti na referenčno napetost znaša 0,40 μV/mV v napetostnem območju od 3 V do 3,6 V. Aktivna površina integriranega vezja znaša 0,073 mm2. Simulacijski rezultati z modeli dveh različnih proizvajalcev v 0,35 μm tehnologiji so pokazali veliko razliko v temperaturnem koeficientu referenčne napetosti. Rezultati meritev izdelanega vezja v 0,35 μm CMOS tehnologiji so pokazali, da se TK in vpliv spremembe napajalne napetosti na referenčno napetost dobro ujemata s simulacijskimi rezultati.20162016-08-30 14:45:01Magistrsko delo/naloga84653sl