Rast 1T-TaS$_2$ kristalov z molekularno žarkovno epitaksijoResnik, David (Avtor) Mihailović, Dragan (Mentor) Chernolevska, Yelyzaveta (Komentor) 1T-TaS$_2$tantalov disulfidrast kristalovmolekularna žarkovna epitaksijaultra visok vakuumval gostote nabojatanke plastiV zaključni nalogi predstavljam rast 1T-TaS$_2$ kristalov, z metodo molekularne žarkovne epitaksije. Rast poteka v ultra visokem vakuumu, kar rezultira v visoki čistosti vzorcev. 1T-TaS$_2$ je kvazi dvodimenzionalni material znan po kompleksnih faznih prehodih, povezanih z valom gostote naboja, pojavom Mottovega izolatorja in metastabilnim skritim stanjem. V nalogi predstavim elektronske lastnosti materiala, opišem napravo za molekularno žarkovno epitaksijo, razložim eksperimentalni postopek priprave in rasti kristalov ter predstavim rezultate. Eksperimentalni rezultati vsebujejo analizo vzorcev, posnetih z mikroskopom na atomsko silo, za rast kristalov na tri različne substrate: SrTiO$_3$, SiC in LSAT. Uspešna rast se je pokazala na substratu iz LSAT, kjer so zrasli nanosi debeline 50 nm, medtem ko na substratu iz SiC in SrTiO$_3$ rast ni bila potrjena, zaradi nepopolno nastavljenih rastnih parametrov.20252026-01-21 10:38:09Zaključna naloga178197sl