<?xml version="1.0"?>
<rdf:RDF xmlns:rdf="http://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#" xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/"><rdf:Description rdf:about="https://repozitorij.uni-lj.si/IzpisGradiva.php?id=171557"><dc:title>Polprevodniški materiali</dc:title><dc:creator>Bačič,	Filip	(Avtor)
	</dc:creator><dc:creator>Marinšek,	Marjan	(Mentor)
	</dc:creator><dc:subject>polprevodniki</dc:subject><dc:subject>nosilci naboja</dc:subject><dc:subject>dopiranje</dc:subject><dc:subject>prepovedani pas</dc:subject><dc:description>Polprevodniški materiali so eden izmed najpomembnejših razredov materialov, saj na njih temelji skoraj celotna sodobna elektronika. Kar jih naredi tako posebne, je njihova sposobnost, da selektivno prevajajo električni tok, glede na napetost ali temperaturo, ki so ji izpostavljeni. Poznanih materialov je po skoraj stoletju razvoja izjemno dosti, se jih pa lahko v grobem razdeli na generacije, ki jih ločijo večji preskoki v razumevanju mehanizmov in zmogljivosti materialov. Njihove polprevodniške lastnosti se lahko do neke mere izboljša z dopiranjem; nadzorovanim uvajanjem atomov drugih elementov v strukturo čistega polprevodnika. V tem diplomskem delu sem opisal teoretično podlago teh materialov s posebnim poudarkom na konceptu polprevodnosti. Podrobneje sem predstavil tudi postopek dopiranja in pa pridobivanje silicijevega monokristala, ker sem bil mnenja, da ti temi še posebej izstopata po svojem pomenu za polprevodniško industrijo. Nazadnje sem na podlagi literature opisal razvoj materialov in predstavil najnovejše napredke na področju inženiringa polprevodnikov.</dc:description><dc:date>2025</dc:date><dc:date>2025-08-28 08:55:00</dc:date><dc:type>Diplomsko delo/naloga</dc:type><dc:identifier>171557</dc:identifier><dc:language>sl</dc:language></rdf:Description></rdf:RDF>
