Priprava SrTiO3 keramičnih kompozitov z nizkotemperaturnim postopkom zgoščevanjaTerbovšek, Eva (Avtor) Spreitzer, Matjaž (Mentor) Krajnc, Matjaž (Komentor) stroncijev titanatnizkotemperaturni postopek zgoščevanja0-3 kompozitdielektrične lastnostiKeramika na osnovi stroncijevega titanata (SrTiO3, krajše ST) je primer sodobne keramike, ki se v veliki meri uporablja na področju elektronike. Običajno se ga pripravlja z visokotemperaturnim procesom (sintranje), ki je energetsko in časovno zelo potraten. Zaradi tega potekajo raziskave v smeri razvoja novih postopkov za pripravo elektronskim elementov na osnovi keramike pri nižjih temperaturah. Eden takšnih je postopek zgoščevanja materialov pri sobni temperaturi. V magistrski nalogi sem ta postopek uporabila za pripravo 0-3 kompozitov na osnovi ST keramike. Osredotočila sem se na iskanje veziva, ki bi uspešno povezalo delce keramike, kar bi rezultiralo v visoki dielektrični konstanti in nizkih dielektričnih izgubah pripravljenih kompozitov. V preteklih študijah je bila že optimizirana priprava kompozitov pri sobni temperaturi na osnovi ST skupaj z Li2MoO4 vezivom. Usmerila sem se v iskanje novih veziv, ki bi jih lahko uporabili v nizkotemperaturnem postopku zgoščevanja. V ta namen sem sintetizirala in nato uporabila v pripravi kompozitov tri nova veziva; Na2MoO4, Na2WO4 in Na2SiO3. Rezultati FTIR in XRD analize so pokazali, da med pripravo kompozitov ni prišlo do tvorbe kemijskih vezi. Za primerjavo razporeditve delcev in mikrostrukture kompozitov z različnimi vezivi sem uporabila elektronski vrstični mikroskop skupaj z EDS »mapping« analizo. Glede na primerjavo dielektričnih lastnosti pripravljenih kompozitov so se uporabljena veziva izkazala kot odlična alternativa vezivu Li2MoO4. Postopek priprave kompozitov z zgoščevanjem pri sobni temperaturi in dodatnim korakom sušenja pri 110°C sem primerjala s postopkom, pri katerem sem kompozite stisnila pri povišani temperaturi; 130°C. Kompoziti pripravljeni s postopkom pri povišani temperaturi so imeli višjo dielektrično konstanto. V obeh primerih je imel najboljše dielektrične lastnosti kompozit z vezivom Na2SiO3. Pri postopku zgoščevanja pri sobni temperaturi je dielektrična konstanta omenjenega kompozita pri 1 MHz znašala 111, pri povišani temperaturi pa 134; dielektrične izgube so bile v obeh primerih 0,005.20232023-06-01 07:50:04Magistrsko delo/naloga146437sl