<?xml version="1.0"?>
<rdf:RDF xmlns:rdf="http://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#" xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/"><rdf:Description rdf:about="https://repozitorij.uni-lj.si/IzpisGradiva.php?id=124037"><dc:title>Senzorski FET element z 2,5-dimenzionalnim elektronskim plinom</dc:title><dc:creator>KOBAL,	JANKO	(Avtor)
	</dc:creator><dc:creator>Lipovšek,	Benjamin	(Mentor)
	</dc:creator><dc:subject>tranzistor</dc:subject><dc:subject>FET</dc:subject><dc:subject>SISFET</dc:subject><dc:subject>GaAs</dc:subject><dc:subject>TCAD</dc:subject><dc:subject>Sentaurus</dc:subject><dc:subject>dopiranje</dc:subject><dc:subject>HEMT</dc:subject><dc:subject>2DEG</dc:subject><dc:description>V pričujočem delu smo se ukvarjali z razvojem novega tipa senzorskega elementa, ki temelji na 2,5 dimenzionalnem elektronskem plinu. Želeli smo določiti vzrok za nepravilno delovanje že izdelanih elementov, zasnovati novo verzijo polprevodniške heterostrukture in zanjo definirati vse procesne korake. Obstoječe elemente smo karakterizirali in z uporabo računalniških simulacij ugotovili vzrok za nepravilno delovanje. Na podlagi že poznanih elementov in literature s tega področja smo predlagali nov tip strukture, za katerega smo s pomočjo simulacij definirali proces izdelave. Preučili smo vplive parametrov ionske implantacije, jedkanja, geometrije in ohmskih kontaktov na delovanje elementa. Preverili smo delovanje končne strukture in določili optimalne obratovalne pogoje, pri katerih so dosežene željene specifikacije elementa. Rezultati nam dajejo vpogled v delovanje končnega elementa in v zahtevnost procesa izdelave. Opravljeno delo služi kot osnova za izdelavo nove iteracije vzorcev.</dc:description><dc:date>2020</dc:date><dc:date>2020-12-21 16:15:00</dc:date><dc:type>Magistrsko delo/naloga</dc:type><dc:identifier>124037</dc:identifier><dc:language>sl</dc:language></rdf:Description></rdf:RDF>