<?xml version="1.0"?>
<rdf:RDF xmlns:rdf="http://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#" xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/"><rdf:Description rdf:about="https://repozitorij.uni-lj.si/IzpisGradiva.php?id=122110"><dc:title>Okrevanje silicijevih fotopomnoževalk po obsevanju z nevtroni</dc:title><dc:creator>Zajc,	Gašper	(Avtor)
	</dc:creator><dc:creator>Pestotnik,	Rok	(Mentor)
	</dc:creator><dc:subject>silicijeve fotopomnoževalke</dc:subject><dc:subject>sevalne poškodbe</dc:subject><dc:subject>nevtroni</dc:subject><dc:subject>okrevanje</dc:subject><dc:description>Silicijeve fotopomnoževalke so polprevodniški detektorji svetlobe, sposobni zaznavati posamezne fotone. Sestavljene so iz mreže plazovnih fotodiod. So veliko manjše od običajnih fotopomnoževalk, neobčutljive na magnetno polje, imajo nižjo ceno izdelave ter delujejo pri manjših napetostih. Silicijeve fotopomnoževalke si želimo uporabljati tudi v sevalnih okoljih, kot so eksperimenti v fiziki visokih energij. Na področju vpliva sevalnih poškodb na detekcijo posameznih fotonov s silicijevimi fotopomnoževalkami še ni bilo narejenih veliko študij. V tej magistrski nalogi sem raziskoval vpliv obsevanja silicijevih fotopomnoževalk z nevtroni ter vpliv segrevanja silicijevih fotopomnoževalk na odpravo sevalnih poškodb. Raziskoval sem vpliv obsevanja na napetost praga ter na sposobnost zaznave posameznega fotona. Po obsevanju smo vsako celico segrevali pet zaporednih tednov pri temperaturi 100 °C ter po vsakem tednu spremljali njihovo okrevanje.</dc:description><dc:date>2020</dc:date><dc:date>2020-11-22 08:15:08</dc:date><dc:type>Magistrsko delo/naloga</dc:type><dc:identifier>122110</dc:identifier><dc:language>sl</dc:language></rdf:Description></rdf:RDF>
