Napredno krmiljenje pretvornika s SiC MOSFET tranzistorjiPUŠNIK, BOŠTJAN (Avtor) Vončina, Danjel (Mentor) SiC MOSFETprožilno vezjeSPItrifazni razsmernikV magistrskem delu je predstavljen razvoj trifaznega razsmernika, ki temelji na SiC tehnologiji. Namesto klasičnih silicijevih MOSFET tranzistorjev so uporabljeni tranzistorji iz silicijevega karbida, ki se zaradi svojih prednostih, v zadnjih letih vedno bolj uveljavljajo na tržišču. Ker SiC MOSFET-i zaradi svoje specifike zahtevajo drugačno krmiljenje, različni proizvajalci izdelujejo namenska prožilna vezja. Izbrano prožilno vezje lahko krmili en tranzistor in omogoča številne konfiguracije in naprednejšo diagnostiko, z mikrokrmilnikom pa komunicira preko SPI vmesnika. V prvem delu je predstavljena SiC tehnologija s poudarkom na SiC MOSFET ih in njihovih lastnostih. Podrobneje je opisano tudi uporabljeno prožilno vezje z vsemi zaščitami, ki jih ponuja. Drugi del naloge temelji na načrtovanju in implementaciji prožilnih vezij STGAP1AS v trifaznem razsmerniku s SiC MOSFET-i. Predstavljena so vsa načrtovana tiskana vezja v razsmerniku in programska koda gonilnika, ki skrbi za komunikacijo med prožilnimi vezji in mikrokrmilnikom.20192019-09-27 10:55:18Magistrsko delo/naloga111313sl