Karakterizacija preklopnih zmožnosti in proces izdelave spominskih elementov na TaS2Mraz, Anže (Avtor) Smole, Franc (Mentor) ultra hitri spominTaS2val gostote nabojaŽe nekaj časa smo v iskanju novih računalniških tehnologij, ki bi nam omogočile nadaljnje izboljšave na tem področju. Eden od glavnih sestavnih delov je tudi spomin, ki je v zadnjih letih doživel precej napredka, predvsem na podlagi novih tehnologij. Primer tega je tudi spominski element, ki je obravnavan v tem delu. Glavni del elementa je material TaS2, v katerem se vzpostavi t. i. val gostote naboja oz. CDW (ang. charge density wave). Sistem doživi fazni prehod in dvig električne upornosti za več kot dekado. Vrednost upornosti je mogoče upravljati s pomočjo električnih pulzov. Za preklop v stanje nizke upornosti se uporabi kratek pulz nizke napetosti. Temu prehodu pravimo zapis oz. "write". Pri izbrisu oz. "erase" se poslužimo gretja materiala, ki se povrne v osnovno stanje. To izvedemo z daljšim pulzom nizke napetosti, upornost se spremeni z nizke nazaj na visoko vrednost. Magistrska naloga predstavi teoretično ozadje materiala TaS2, CDW pojava ter zapisa in izbrisa. Nato je na vrsti eksperimentalni del, v katerem prikaže sintezo materiala, načrtovanje in izdelavo testnega vezja ter končni produkt. Sledijo meritve in rezultati, s katerimi pokažemo preklopne lastnosti in stabilnost elementa, ter prikaz izdelave večbitnega prototipa. Na koncu so zbrane še končne ugotovitve in primerjava z ostalimi vrstami spomina.20182018-09-11 14:55:16Magistrsko delo/naloga102889sl