Preučevanje detektorja HVCMOS2 za meritve sledi nabitih delcev z metodo E-TCTŠčetinec, Manja (Avtor) Mandić, Igor (Mentor) Kramberger, Gregor (Komentor) silicijevi točkovni detektorjimonolitni senzorji CMOS (CMOS MAPS)detektorji HV-CMOSmetoda tranzientnih tokov z osvetlitvijo roba (E-TCT)profil zbranega nabojaosiromašeno področjepotovanje nosilcev nabojadifuzijastroncij (90)SrMagistrsko delo zajema opis delovanja silicijevih detektorjev ter nastanek signala v njih. Preučevali smo prototip blaziničastega detektorja HVCMOS2 izdelanega s tehnologijo HV-CMOS. Ta omogoča uporabo visoke napetosti v detektorjih CMOS, ki poveča osiromašeno področje. Osiromašeno področje omogoča velik signal in hitro zbiranje naboja v okoljih z visokimi dozami sevanja, kot jih najdemo na hadronskih trkalnikih. Predstavljen je nov način merjenja zbranega naboja z metodo E-TCT. Pri tem osvetlimo rob detektorja s kratkim sunkom infrardeče svetlobe zbrane v ozek žarek in opazujemo odziv detektorja z metodo tranzientnih tokov. Opisane so meritve signala z metodo E-TCT ter meritve signala elektronov iz izvora stroncija (90)Sr. Prikazana je tudi postavitev merilnega sistema in določitev potrebnih parametrov za uspešno delovanje, kot je metoda izostritve laserskega žarka pod preiskovano blazinico. Namen meritev z metodo E-TCT je določitev zbranega naboja pri različnih zapornih napetostih ter primerjava prispevka potovanja nosilcev naboja v električnem polju s prispevkom potovanja nosilcev naboja z difuzijo. Preverili smo tudi odziv detektorja na elektrone iz izvora stroncija (90)Sr ter analizirali rezultate.20182018-04-03 11:30:14Magistrsko delo/naloga100620sl