Podrobno

Karakterizacija močnostnega avdio ojačevalnika D-razreda z Si MOSFET tehnologijo
ID Potokar, Juš (Avtor), ID Lavrič, Henrik (Mentor) Več o mentorju... Povezava se odpre v novem oknu

.pdfPDF - Predstavitvena datoteka, prenos (6,64 MB)
MD5: 789BD908EAF362F771B42AF7CD5470C8

Izvleček
Diplomska naloga obravnava postopek vzpostavitve in optimizacije delovanja avdio ojačevalnika ter proces izbire in nastavitve njegovih ključnih parametrov. Ojačevalnik temelji na razvojni plošči EB-TA0104 podjetja Tripath. V delu je podrobno opisana vgradnja razvojne plošče, napajalnih modulov ter pripadajočega ožičenja v namensko ohišje, kar skupaj tvori celovit in funkcionalen sistem. Delovanje in kakovost ojačevalnika sta podprta z uveljavljenimi industrijskimi meritvami, ki so pokazale, da ojačevalnik dosega dobre tehnične karakteristike. Celotno harmonsko popačenje skupaj z šumom (THD+N) pri izhodni moči 100 W znaša 0,0747 %, medtem ko intermodulacijsko popačenje v skladu s standardom SMPTE dosega 0,2512 % in po ITU metodi 0,01387 %. Ojačenje sistema znaša 15,3, razmerje signal-šum (SNR) pa dosega 82,70 dB, kar zagotavlja ustrezno reprodukcijo brez opaznega vpliva šuma. Izkoristek ojačevalnika pri 100 W obremenitvi znaša 86 %, kar potrjuje energetsko učinkovitost zasnove. Frekvenčni odziv ostaja stabilen čez celotno območje od 100 Hz do 20 kHz, pri čemer odstopanje ne presega ±0.5 dBV. V zaključku so predstavljene tudi možnosti za nadaljnje izboljšave, s katerimi bi bilo mogoče še dodatno povečati kakovost in učinkovitost ojačevalnika.

Jezik:Slovenski jezik
Ključne besede:avdio ojačevalnik, MOSFET, THD, stikalne izgube, razred-D, LC filter
Vrsta gradiva:Diplomsko delo/naloga
Organizacija:FE - Fakulteta za elektrotehniko
Leto izida:2025
PID:20.500.12556/RUL-172829 Povezava se odpre v novem oknu
Datum objave v RUL:11.09.2025
Število ogledov:179
Število prenosov:34
Metapodatki:XML DC-XML DC-RDF
:
Kopiraj citat
Objavi na:Bookmark and Share

Sekundarni jezik

Jezik:Angleški jezik
Naslov:Characterisation of a D-class power audio amplifier with Si MOSFET technology
Izvleček:
The diploma thesis addresses the process of establishing and optimizing the operation of an audio amplifier, as well as the selection and configuration of its key parameters. The amplifier is based on the EB-TA0104 development board by Tripath. The work provides a detailed description of the integration of the development board, power supply modules, and associated wiring into a dedicated enclosure, forming a complete and functional system. The performance and quality of the amplifier are supported by established industry measurements, which show that the amplifier achieves good technical characteristics. The total harmonic distortion plus noise (THD+N) at an output power of 100 W amounts to 0.0747 %, while the intermodulation distortion according to the SMPTE standard reaches 0.2512 %, and according to the ITU method 0.01387 %. The system gain is 15.3, and the signal-to-noise ratio (SNR) reaches 82.70 dB, ensuring proper reproduction without noticeable noise influence. The efficiency of the amplifier at a 100 W load is 86 %, confirming the energy efficiency of the design. The frequency response remains stable across the entire range from 100 Hz to 20 kHz, with deviations not exceeding ±0.5 dBV. In conclusion, the thesis also presents possibilities for further improvements, which could further enhance the quality and efficiency of the amplifier.

Ključne besede:audio amplifier, MOSFET, THD, switching losses, class-D, LC filter

Podobna dela

Podobna dela v RUL:
Podobna dela v drugih slovenskih zbirkah:

Nazaj